Танталовый лист 1х100х150 мм ТВЧ в Воронеже

Различные виды отжига влияют на ковкость и пластичность танталового листа марки ТВЧ. Рекристаллизационный отжиг при высоких температурах (например, 1000-1300°C в вакууме) полностью снимает наклеп, восстанавливает пластичность и ковкость, делая материал пригодным для дальнейшей холодной обработки.

Присутствие кислорода в высокочистой воде при 250°C способствует формированию стабильной и пассивной оксидной пленки на поверхности танталового листа. Это значительно улучшает его коррозионную стойкость. Без кислорода оксидная пленка может быть менее устойчивой, что потенциально увеличивает скорость растворения.

Танталовый лист марки ТВ-10, легированный вольфрамом, обычно лучше выдерживает термические удары по сравнению с чистым танталом (ТВЧ). Повышенная прочность и меньшая склонность к деформации при высоких температурах способствуют его стабильности при резких изменениях температуры.

В производстве высокоточных измерительных приборов танталовый лист находит применение для изготовления чувствительных элементов, мембран, пружин и корпусов. Его стабильность размеров, низкий коэффициент теплового расширения и инертность обеспечивают точность и надежность работы приборов.

Танталовый лист марки ТаВ (тантал-ниобиевый сплав) имеет преимущества перед танталовым листом марки ТВЧ в производстве нагревательных элементов за счет повышенного удельного электрического сопротивления. Это позволяет достигать требуемой тепловой мощности при меньших размерах элемента или меньшем токе, делая его более эффективным.

Танталовый лист марки ТВЧ сохраняет свою пластичность и не подвержен хладноломкости при низких температурах, вплоть до -196°C. Это свойство делает его пригодным для криогенных применений, где большинство других металлов становятся хрупкими.

Танталовый лист марки ТВ-10, легированный вольфрамом, обычно демонстрирует несколько лучшую устойчивость к водородному охрупчиванию по сравнению с чистым танталом (ТВЧ) в высокотемпературных газовых средах. Легирующие элементы могут снижать диффузию водорода в кристаллическую решетку. Тем не менее, полное исключение охрупчивания невозможно.